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浮選是選礦過程中較為重要的步驟，但是在浮選時通常的物料通常有些不是完全親水或者完全疏水的，數(shù)據(jù)分析如圖中曲線的情況。礦粒向氣泡附著的過程，詳細可分為a、b、c和d四個階段，如下圖所示。
首階段a為礦粒與氣泡的互相接近。這是由浮選機的充氣攪拌、礦漿運動、表面間引力等因素綜合造成的。礦粒與氣泡互相接觸的機會，與攪拌強度、礦粒氣泡的大小尺寸等相關。此時礦粒與氣泡的相對位置如圖2中的a所示，自由能的變化不多，相應圖1中曲線2的a到b段。
第二階段b是礦粒與氣泡的水化層接觸。此時礦粒與氣泡間的距離變化為h2。原來礦粒與氣泡間的普通水層、由于礦粒與氣泡的逼近，逐步從夾縫中被擠走，直到礦粒表面的水化層與氣泡表面的水化層相互接觸。由于水化層的水分子是在表面鍵能的作用力場范圍內(nèi)，故水分子偶極是定向排列的，這與普通水分子的無序排列不同。因此，要擠走水化層中的水分子，如圖1曲線2中由b向c處推進時，就要外界向體系作功，才能克服b到c的能峰。
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第三階段c是水化膜的變薄或破裂。水化層受到外加能的作用變薄到一定程度，成為水化膜。如圖2中的位置，間隔距離為c。相應圖1曲線2由c到d。此時水化膜表現(xiàn)出不穩(wěn)定性。即已越過能峰c，再逼近，距離h3縮為h4，自由能減低，水化膜厚度會自發(fā)變薄。據(jù)測定，大致間隔為100~1mm。此時礦粒與氣泡自發(fā)靠近。
最后階段d是礦粒與氣泡接觸。從情況c，自發(fā)進行到d，此時礦粒與氣泡開始接觸。接觸發(fā)生后，如為疏水礦物，接觸周邊可能繼續(xù)擴展。
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2012-06-27